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terça-feira, 31 de outubro de 2017

Dominando a matéria



Metal líquido fabrica camadas metálicas de espessura atômica
Redação do Site Inovação Tecnológica -  26/10/2017







 As camadas monoatômicas podem ser deixadas por onde a gota de metal líquido escorre ou pode ser coletada diretamente no material. [Imagem: RMIT University]



Materiais bidimensionais em escala industrial
No que está sendo saudado como "uma descoberta que se faz uma vez em cada década", pesquisadores australianos descobriram como usar metal líquido para criar materiais bidimensionais, com espessura atômica ou molecular.

Lembre-se que o grafeno rendeu o Prêmio Nobel depois de ser extraído do grafite usando uma fita adesiva, e até hoje é difícil fabricá-lo em escala industrial. A molibdenita e a perovskita estão um pouco à frente em termos de aplicações tecnológicas, mas estão no mesmo barco quando o assunto é a fabricação industrial.

Daí a importância do trabalho de Ali Zavabeti e seus colegas da Universidade RMIT, que desenvolveram uma técnica que sintetiza películas atomicamente finas de óxidos metálicos em temperatura ambiente - as ligas metálicas conhecidas como metais líquidos, ao contrário de metais fundidos, são líquidas por volta dos 30ºC.

Isso abre o caminho da indústria para as inúmeras tecnologias de armazenamento de dados e computação que vêm sendo demonstradas ao longo dos últimos anos com esses materiais monoatômicos, além de ter o potencial de revolucionar a forma como fazemos química, reformulando os métodos de fabricação de produtos químicos que vão dos medicamentos aos fertilizantes e plásticos.

"Nós prevemos que essa tecnologia se aplique a aproximadamente um terço da Tabela Periódica. Muitos desses óxidos atômicos são materiais semicondutores ou dielétricos. Os componentes semicondutores e dielétricos são a base dos aparelhos eletrônicos e ópticos atuais. Espera-se que, trabalhando com componentes atomicamente finos, cheguemos a uma eletrônica melhor e mais eficiente em termos energéticos. Essa capacidade tecnológica nunca esteve acessível antes," afirmou o professor Torben Daeneke, coordenador da equipe.


 Esquema do processo, que funciona a temperatura ambiente. [Imagem: Ali Zavabeti et al. - 10.1126/science.aao4249]

Metal líquido
A coisa é tão simples quanto parece - com os materiais em mãos, dá para fazer em casa, embora seja necessário um microscópio eletrônico para ver o resultado e tirar proveito dele.

A técnica consiste em dissolver em metal líquido os materiais que se deseja depositar na forma de camadas monoatômicas - isso inclui virtualmente todos os óxidos metálicos, que ainda não existem como estruturas em camadas bidimensionais.

A seguir, assim como um lápis passando sobre um papel deixa camadas de grafeno, o metal líquido é posto para escorrer de forma controlada sobre uma superfície, deixando atrás de si as camadas atômicas de óxidos metálicos. Também se pode trabalhar com gotas do material, coletando as camadas atômicas com uma superfície plana, como o substrato de um chip, por exemplo.

"Nós usamos ligas não-tóxicas de gálio, um metal parecido com o alumínio, como um meio de reação para cobrir a superfície do metal líquido com camadas atomicamente finas de óxido do metal adicionado, em vez do óxido de gálio natural.

"Essa camada de óxido pode então ser esfoliada simplesmente tocando o metal líquido com uma superfície lisa. Maiores quantidades dessas camadas atômicas finas podem ser produzidas injetando ar no metal líquido, em um processo que é semelhante a fazer o leite espumar na preparação de um cappuccino," detalhou Daeneke.
Bibliografia:

A liquid metal reaction environment for the room-temperature synthesis of atomically thin metal oxides
Ali Zavabeti, Jian Zhen Ou, Benjamin J. Carey, Nitu Syed, Rebecca Orrell-Trigg, Edwin L. H. Mayes, Chenglong Xu, Omid Kavehei, Anthony P. O Mullane, Richard B. Kaner, Kourosh Kalantar-zadeh, Torben Daeneke
Science
Vol.: 358, Issue 6361, pp. 332-335
DOI: 10.1126/science.aao4249

quarta-feira, 9 de novembro de 2016

Modernidade



Transístor de 1 nanômetro empurra limites da miniaturização
Redação do Site Inovação Tecnológica -  11/10/2016






 Esquema de funcionamento do transístor de 1 nanômetro - tudo em escala atômica [Imagem: Sujay Desai/Berkeley Lab]



Limites da eletrônica
Em tempos de transistores atômicos, o título de menor transístor do mundo começa a exigir a criação de categorias para os diversos tipos de avanços mais recentes.

Em termos de um transístor compatível com a tecnologia atual, um novo recorde acaba de ser estabelecido por Sujay Desai e seus colegas da Universidade de Berkeley, nos EUA.

Desai usou uma camada de silício, sobre a qual depositou uma monoatômica de molibdenita e nanotubos de carbono, construindo um transístor cuja porta mede exatamente 1 nanômetro.

O feito é importante porque já se defendeu que as leis da física impediriam fabricar transistores menores do que 10 nanômetros porque, abaixo disso, as leis da mecânica quântica passariam a imperar e interfeririam com o funcionamento tradicional do componente.

A realidade mostrou que não é bem assim, e vários transistores hoje usam justamente os fenômenos quânticos para funcionar - eles são essencialmente "transistores quânticos". Para a tecnologia da microeletrônica atual, à base de silício, os físicos hoje defendem um limite físico dos transistores em 5 nanômetros, embora os processadores estejam chegando ao patamar dos 7 nanômetros em escala experimental.
Há espaço para miniaturização
"Nós desenvolvemos um transístor com uma porta de 1 nanômetro, mostrando que, escolhendo os materiais adequados, há muito espaço para miniaturizarmos nossa eletrônica," disse o professor Ali Javey, coordenador da equipe.

Os materiais escolhidos pela equipe foram nanotubos de carbono e a promissora molibdenita (MoS2), um material que já vem sendo pesquisado para uso em uma nova geração de LEDs, lasers, células solares e, claro, transistores.

Resta agora o desafio nada desprezível de fabricar esses nanotransistores em larga escala e com funcionamento padronizado.

Bibliografia:

MoS2 transistors with 1-nanometer gate lengths
Sujay B. Desai, Surabhi R. Madhvapathy, Angada B. Sachid, Juan Pablo Llinas, Qingxiao Wang, Geun Ho Ahn, Gregory Pitner, Moon J. Kim, Jeffrey Bokor, Chenming Hu, H.-S. Philip Wong, Ali Javey
Science
Vol.: 354, Issue 6308, pp. 99-102
DOI: 10.1126/science.aah4698